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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100半導體芯片參數設置解析儀都具有高的精密度、寬測試方法區域、 迅速輕松、兼容性問題強等優點,產品設備就能夠時兼容DC直流的工作電壓-的工作電壓(I-V)、電容器-的工作電壓(C-V)或高流髙壓下輸入脈沖式I-V性能的測試方法。        來源于模塊圖片化的組成構思,能助力用戶組不同測試軟件必須要 ,靈便選購校正單元尺寸做出晉級。新產品適配最低1200V交流電值、100A大交流電、1pA小交流電鑒別率的校正,同一時間檢查10kHz至1MHz面積內的多頻AC電容器校正。        在用常用半導參數值各種測評app,蘋果支持交流互動行為式手動的運行時的運行或結合實際測評探針臺的會自動的運行,要從測量設制、運行、結果解析到大數據操作的一個過程中,實現了快速和可反復的器材分析方法;也可與高底溫箱、控溫模塊圖片等配搭便用,提供高底溫各種測評要求。

產品特點

●    30μV-1200V,1pA-100A 寬(kuan)量程測試(shi)能(neng)力

●     測(ce)量精度高,全量程(cheng)下可(ke)達(da)0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自動實時參(can)數提取、 數據繪圖、分析函數

●     在(zai)CV和IV測(ce)量之間(jian)快速切(qie)換而無需重新布線

●     提(ti)供靈活的(de)夾具定制(zhi)方(fang)案,兼(jian)容(rong)性(xing)強

●     免費提供上位(wei)機軟(ruan)件及SCPI指令集


APP不一樣(yang)及測試(shi)圖片參數表

1、納米材料:電阻率、載流子(zi)(zi)遷(qian)移率、載流子(zi)(zi)濃(nong)度(du)、霍(huo)爾(er)電壓

2、柔性材料:拉伸/扭轉/彎(wan)折、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈(ling)敏(min)度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出(chu)/轉移/CV曲線(xian)等

5、光電探測器:暗電(dian)流(liu)ID、結電(dian)容(rong)Ct、反向擊(ji)穿電(dian)壓VBR、響應(ying)度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交(jiao)流IV測(ce)試


一大特色特色

1、模塊化配置:可靈活配(pei)置多種測量單元,預留升(sheng)級空間,方便后期升(sheng)級

2、圖形化界面:內置常用器件模板,可直接(jie)調(diao)用,并且支持輸出(chu)三種模式測試報(bao)告

3、自動化測試:內嵌低漏電(dian)矩陣開關(guan),可(ke)自動切換測(ce)試(shi)電(dian)路,實現一鍵(jian)測(ce)試(shi)功(gong)能(neng)

4、夾具可定制:支持二極(ji)管、三極(ji)管、Si及(ji)SiC MOS管、IGBT等(deng)器件

5、多設備聯動:可與探針臺、溫控(kong)模塊(kuai)等搭配使用,溫控(kong)范圍:室(shi)溫~250℃

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快速半導體(ti)元器件(jian)封(feng)(feng)裝食(shi)材(cai)、集(ji)成塊元器件(jian)封(feng)(feng)裝設計方案各種先進性施工工藝(yi)的(de)發展安全驗證

1、認可電流、電磁I-V檢查

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2、內設專業的矩陣的值面板開關,挺高測驗成功率

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3、可與許多種設備連動在使用:晶圓級心片能檢驗需要與檢測器臺連動,安全性評估方法會涉及面常溫的和高低溫環境等能力

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4、三同中心線纜提高小交流電測試方法精確度

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組(zu)合圖形(xing)化app工具欄

搞好團結普賽斯有意識的主動開發技術的行業測評方法英文體統,SPA6100可輕易體現半導體行業的材料,元件的指標測評方法英文。體統內置式慣用元件摸板,如電子元器件大家庭中的一員-二極管, 晶體管,MOSFET。測評方法英文環節中,可就直接調節,只需簡約設置測評方法英文指標就可以。體統可以支持測評方法英文數據文件分析體現 ,、曲線方程美繪圖。測評方法英文已完成 后,可將數據文件分析、曲線方程美導到保管。

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具備(bei)靈活性高可制作化的(de)治具計劃

涉及市場上有差異封裝品類的半導體行業電子器件軟件,普賽斯保證小套夾具設計設計避免計劃。夾具設計設計有著低電阻值、的安裝操作簡單化、常見多樣化等優勢,可 中用電感、晶狀體管、場不確定性晶狀體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類軟件的考試;也可與電極臺銜接,實現了晶圓級處理器 考試。


不相(xiang)同二(er)極管封裝方式的治(zhi)具

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產品選型

高壓(ya)直流電I-V源測試(shi)模快(kuai)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

血壓低壓高脈沖發生器I-V源測(ce)量單元(yuan)測(ce)試卷

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(交流電) / 30A(激光脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

高壓低(di)壓I-V源(yuan)檢測的(de)單元測試

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高流I-V源預(yu)估模塊

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

電感量測單元

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



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