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●   高電壓達3500V(最大擴展至12kV)

●   大電流達6000A(多模塊并聯)

●   nA級漏電流μΩ級導通電阻

●   高精度測量0.1%

●   模塊化配置，可添加或升級測量單元，可展示 IV、CV、跨導等充裕效果的整合測試圖片

●   測試效率高，自動切換、一鍵測試

●   溫度范圍廣，支持常溫、高溫測試

●   兼容多種封裝，根據測試需求定制夾具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、轉移特性曲線、C-V特性曲線

●   光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、電流傳輸比CTR、隔離電容CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯直流高壓摸塊建立聯系的精力不低于5ms，在測試英文的過程中可增多待測物加電精力的起熱。

2、低壓下漏電流的各種自測能力素質無人能比的，各種自測網絡普及率高于國際級公司。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完美應對所有類型器件的漏電流測試需求。

PMST額定功率元器件封裝空態設備與眾不同年紀增加型號查詢規范：