盛夏已過，初秋開場

8月的中高溫依舊會以未不散生話也早晚都會了被混亂的運轉解除封印

高壓力大熱效率(6500V/3000A)IGBT自測難？伴漸漸工程項目訴求急、級任務重、規定高過程中師們的壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

因SiC與Si特征參數的多種，SiC MOSFET的閥值交流電流值極具忽高忽低確定，在器材實驗設計進程中閥值交流電流值能有很深漂移，以至于其電效能實驗設計包括高的溫度柵偏實驗設計后的電實驗設計最后頻發依賴感于實驗設計因素。由此閥值交流電流值的更準實驗設計，實施可信度性實驗設計方式 有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電容 RDSon為印象配件上班時導通消耗的一比較重要結構特征指標，其標值會隨 VGS 甚至T的變現而發生變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護的會將額定電壓又或者直流電制約在SOA位置，盡量不要電子元器件丟失或炸管。

測試儀情況：800V 恒壓 10μA 限流

測試圖片必備條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）功率加測控制電路將升高導通直流電壓檢測控制精度；? SOCKET與PIN接處電容功率、測試方法引線導通電容功率。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，交流電波型振動；? 路線等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普通的同軸電線電纜的等效電解電容與DUT電容串聯，SMU測式時增漲和穩定性高時間間隔長；? 三同軸電線等效電解電容近乎為0。

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